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旋光-电光晶体的电光调制特性及其pi电压

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摘要

分析旋光-电光晶体的电光相位以及强度调制特性,并定义其pi-电压。?#26434;?#20855;有旋光性的电光晶体,以往半波电压的概念不能准?#35775;?#36848;其电光偏振、强度调制的周期性,因而引入“pi-电压”的概念,并定义为此类晶体的椭圆双折射相位延迟变化量等于pi时所需要的调制电压。?#26434;?#32622;于两个偏振器之间的旋光-电光晶体强度调制器,旋光性可以为电光强度调制提供光学偏置,但被调制光强度是调制电压的偶函数,只有当检偏器的主透光方向平行或垂直于起偏器、以及晶体出射线偏振光波的偏振方向时才能实现完全电光开关。当此类晶体用于电光开关时,可定义能够实现完全开关状态转换所需要的最大调制电压为其开关电压。实验测量了一块尺寸为6x4x2.9mm3的硅酸铋(Bi12SiO20)晶体的pi/4-电压,?#26434;?35nm的光波长,其pi/4-电压约为3kV。?#26434;?#20855;有旋光性的弹光调制器,可以引入“pi-应力”、“pi-应变”的概念。

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补充资料

DOI:10.3788/aos201939.0623001

作者单位:

    ?#26412;?#33322;空航天大学仪器科学与光电工程学院光电工程系

引用该论文

李长. 旋光-电光晶体的电光调制特性及其pi电压[J].光学学报,2019,39(06):0623001.

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